2023年6月14日，北京年夜学理学部副主任、宽禁带半导体研究中央主任、教诲部长江特聘传授沈波传授受南边科技年夜学深港微电子学院与质料科学与工程学院结合约请，在工学院北楼506举办讲座，陈诉主题为《氮化物宽禁带半导体年夜掉配及缺陷节制》。沈波传授于阐发氮化物半导体年夜掉配异质外延物理素质基础上，重要会商两点: (1)蓝宝石村底上AIN、高AI组分A1GaN 和其量子阱布局的外延生长及p型掺杂: (2)Si村底上GaN和其异质布局的外延生长及缺陷/应力节制。此外，重点先容北京年夜学最近几年来于氮化物半导体年夜掉配异质外延生长动力学和缺陷物理研究上取患上的研究进展。

现场交流

陈诉竣事后沈波传授团队受邀来访我院，深港微电子学院院善于洪宇传授及汪青研究副传授热忱欢迎来访佳宾，领导观光学院展厅，并先容深港微电子学院于宽禁带半导体质料、器件及体系运用方面的研究结果，重点先容了团队最近几年于GaN功率器件及电源体系、GaN射频器件及PA模块、GaN气体传感器以和氧化镓SBD等范畴的结果与进展。加拿年夜工程院院士吕正红及30余名微电子学院师生到场现场交流勾当。

沈波传授发言

听取陈诉后，沈波教员高度评价在洪宇教员课题组团队的结果，并针对于在洪宇传授团队的相干科研标的目的举行会商。沈传授暗示两边需要增强互助，将北京年夜学的氮化物异质外延技能上风与南科年夜微电子学院器件制备及体系运用技能堆集相联合，鞭策我国第三代半导体科研的成长。

在洪宇传授指出，硅基氮化镓射频技能依附低成本、CMOS可兼容性成为海内外科研重点，今朝我院宽禁带半导体研究结构也将该技能的科研成长列为重点标的目的。同时，我院也将增强与企业的互助，做好产学研联合，为海内宽禁带半导体市场做出更年夜的孝敬。

合影（从左至右：沈波传授、吕正红院士、在洪宇传授）