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米兰milan-深港微电子学院团队在高能效人工智能芯片领域取得多项研究成果
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深港微电子学院团队于高能效人工智能芯片范畴取患上多项研究结果 2022-10-30 科研聚焦 阅读量:22782

近日,南边科技年夜学深港微电子学院传授余浩领导团队(研究副传授毛伟,博士生李凯、刘定邦等)重点研究人工智能及高机能集成电路设计,形成一系列自研IP,并取患上多项国际领先的研究结果。其研究结果对于解决“洽商”要害技能难题,冲破“后摩尔时代”芯片算力及功耗瓶颈具备主要意义。

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于面向边沿计较(Edge-Computing)处置惩罚芯片标的目的,团队提出混淆精度深度进修芯片设计,经由过程收集架构主动化搜刮(NAS)优化,于28 nm CMOS工艺下最高可以实现了40.69TOPS/W的能效,相干结果发表于IEEE电路体系知名期刊IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems [1]。毛伟为论文第一作者,余浩为通信作者,南科年夜为论文第一单元。该事情获得国度天然基金重点项目撑持。同时联合布局化稀少与矢量脉动架构,于FPGA平台最高可以到达2863.29 GOPS的通量机能,相干结果发表于IEEE电路体系知名期刊IEEE Transactions on Circuits and Systems I [2]。拜候学者、副研究员黄明强为论文第一作者,余浩为通信作者,南科年夜为论文第一单元。该事情获得国天然重点项目撑持。

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图1: 面向边沿计较混淆精度人工智能芯片

于面向高机能计较(High-Performance Computing)加快芯片标的目的,团队提出头具名向HPC+AI 浮点多精度计较体系,可以撑持浮点半精度FP16到双精度FP64的计较需求,经由过程基在多精度并行处置惩罚单位,实现精度交融及高效数据运算,针对于分段优化实现提出基在最小冗余硬件及冗余操作的阐发要领,实现硬件使用率最年夜化。相干结果发表于IEEE电路体系知名期刊IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems [3]。毛伟为论文第一作者,余浩为通信作者,南科年夜为论文第一单元。该事情获得深圳市高条理人材孔雀团队项目撑持。并经由过程向量脉动加快器体系架构,晋升数据复用率以和数据传输效率。于28 nm CMOS工艺下,面向高机能计较及人工智能算法运用,主频可以到达1.351GHz,最高可以实现了1193GLOPS/W的能效。相干结果发表于IEEE电路体系知名期刊IEEE Transactions on Circuits and Systems II [4]。深港微电子学院2021级博士生李凯为论文第一作者,余浩、毛伟为配合通信作者,南科年夜为论文第一单元。该事情获得国天然重点项目撑持。

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图2: 面向HPC+AI 浮点多精度向量脉动加快器

于于基在非掉性器件忆阻器(ReRAM)的存算一体阵列设计标的目的,团队针对于通例ReRAM存算一体阵列广泛存于的瓶颈问题包括单位参数掉配年夜、行列运算并行度低及周边电路功耗年夜等瓶颈问题,别离提出采用比例电阻饱及放年夜、电荷累加式输出及基在收集特征电路优化的设计方案,实现合用在收集稀少优化的全并行多精度高能效存算一体加快器。该加快器可以实现最高能效2490.32TOPS/W,针对于NAS优化的ResNet-18收集推理,该加快器可以到达479.37TOPS/W的平均能效机能。相干结果发表于IEEE电路体系知名期刊IEEE Journal on Emerging and Selected Topics in Circuits and Systems上 [5]。深港微电子学院2020级博士生刘定邦为论文第一作者,余浩、毛伟为配合通信作者,南科年夜为论文第一单元。该事情获得科技部国度重点研发项目撑持。

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图3: 高通量高能效全并行存算一体阵列

同时余浩于英国工程技能学会(IET,The Institution of Engineering and Technology)出书社,出书英文专著《ReRAM-based Machine Learning》 [6]。专著重要综述最新基在忆阻器(ReRAM)做存内计较的研究进展。专著起首先容了忆阻器器件模子和仿真要领,然后设计了基在忆阻器器件的逻辑计较电路,提出了合适存内计较架构的漫衍式计较的忆阻器加快器设计,同时提出了合适忆阻器加快器计较的二值化呆板进修算法。并给出了详细年夜范围神经收集(ResNet)计较模子和压缩感知计较模子于忆阻器加快器上的映照实现,为将来基在忆阻器计较的范式提出了详细实现参考线路。本书的出书富厚了微电子专业学生的造就,同时是从事计较范畴的研究职员相识现代AI硬件设计相干器件,体系和算法的主要参考文献。

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图4: IET英文专著 《ReRAM-based Machine Learning》

论文链接:

[1]https://ieeexplore.ieee.org/document/9920733

[2]https://ieeexplore.ieee.org/document/9793397

[3]https://ieeexplore.ieee.org/document/9795894

[4]https://ieeexplore.ieee.org/document/9631952

[5]https://ieeexplore.ieee.org/document/9911654

[6] ReRAM-based Machine Learning, IET 2020. (ISBN: 978-1-83953-081-4)

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