近日，2025Symposium on VLSI Technology and Circuits（VLSI Symposium）组委会宣布了集会文章任命成果，南边科技年夜学深港微电子学院于本届VLSI Symposium有3篇文章入选。

此中，林龙扬课题组入选论文2篇,论文1“A 425pW, 0.3V, 32kHz Crystal Oscillator in 22nm FDSOI with Adaptive Pulse Injection and Amplitude Regulation Across -40°C to 125°C”及论文2“A Radiation-Hardened Neuromorphic Imager with Self-Healing Spiking Pixels and Unified Spiking Neural Network for Space Robotics”。论文1第一作者为深港微电子学院2023级硕士生王绪业及2023级博士生朱英杰，论文2第一作者为拜候博士程全，林龙扬助理传授为以上论文的通信作者，南科年夜深港微电子学院为论文第一单元，以上事情获得了国度天然科学基金的撑持。

高源课题组入选论文1篇,“A Dual-Mode Direct-Drive D-GaN Driver with Reused Inductor and Power Switches for Negative Voltage Generation and Gate Energy Recycling”。该论文第一作者为2022级博士生储鹏，高源助理传授为通信作者，南科年夜深港微电子学院为论文第一单元，该论文获得了国度天然科学基金及深圳市科技立异委员会的撑持。

关在VLSI

VLSISymposium始在1987年，是与ISSCC、IEDM齐名的集成电路与半导体范畴第一流别集会，每一年夏日轮流于美国及日本举办，会聚全世界芯片行业的顶尖专家，配合切磋VLSI技能的最新冲破与将来趋向。该集会于集成电路与半导体范畴的学术界以和工业界均享有很高的学术职位地方及广泛影响，入选的集会文章不仅需要学术上的立异，更需要表现结果的财产价值及技能前沿性。

最新一届的VLSI Symposium将在2025年6月8日至12日于日本京都的Rihga Royal Hotel进行，主题是“Cultivating the VLSI Garden: From Seeds of Innovation to Thriving Growth”。本次钻研会将精选演媾和小组集会，聚焦AI算力需求激增下的技能厘革，切磋3D集成、新器件架构、进步前辈质料等冲破性标的目的，并笼罩人工智能、呆板进修、物联网、生物医学电子、主动驾驶等热门运用范畴。

VLSI Symposium2025集会议程：https://www.vlsisymposium.org/program/