近日，国际固态电路年夜会（ISSCC 2025）于美国旧金山进行。ISSCC (International Solid- State Circuits Conference) 国际固态电路集会由IEEE固态电路学会(SSCS)举办，是世界学术界及工业界公认的集成电路设计范畴第一流别集会，被认为是集成电路设计范畴的“芯片奥林匹克年夜会”。始在1953年的ISSCC凡是是各个期间国际上最尖端固态电路技能开始发表之地。每一年吸引跨越3000名来自世界各地工业界及学术界的参会者。

ISSCC每一篇论文都代表着当前芯片范畴最前沿的研究结果。南边科技年夜学微电子学院本年共有2篇论文入选：论文1“A 112Gb/s 0.61pJ/b PAM-4 Linear TIA Supporting Extended PD-TIA Reach in 28nm CMOS”，论文2“A 100Gbaud 4VppdDistributed Linear Driver with Cross-folded Transmission Lines and Cross-coupled Gm Cells for Built-in 5-tap FFE in 130nm SiGe BiCMOS”。截止今朝，南科年夜于ISSCC上以第一单元共发表论文8篇，此中5篇来自潘权传授团队。

团队学生ISSCC合影

现场报告请示实况

论文一《A 112Gb/s 0.61pJ/b PAM-4 Linear TIA Supporting Extended PD-TIA Reach in 28nm CMOS》先容：

云存储及人工智能运用需求的连续增加，正鞭策光通讯技能向更高数据速度及更低成本标的目的成长。将光电探测器（PD）、BiCMOS跨阻放年夜器（TIA）与CMOS互换机专用集成电路（ASIC）共封装在统一基板上，可有用晋升旌旗灯号完备性并降低功耗，同时提高集成密度并削减成本。于CMOS工艺中将TIA集成至互换机ASIC内，可进一步削减元件总数，从而实现更低的成本与功耗。为确保ASIC热膨胀顺应性、光耦合矫捷性、机械不变性和防止因PD-TIA间距太短致使的现场改换问题，同时进一步晋升光电接口的互联带宽密度，需合理设计PD至TIA+ASIC的间距。然而，增年夜PD-TIA间距会致使旌旗灯号反射加重、带内幅度平展度恶化以和带宽降落。

团队从体系架谈判电路设计入手，针对于拉远PD-TIA场景，提出了一款基在有源输入端接型跨阻放年夜器（AIT-TIA），Q谐振腔型持续时间线性平衡器（CTLE）及旌旗灯号插值型单端-差分转换器（S2D）的4×112Gb/s PAM-4 TIA，其能效为0.61pJ/b，可撑持0.2英寸的PD-TIA间距，到达了今朝海内外所有类型的光吸收机中的最长间隔。

论文二《A 100Gbaud 4VppdDistributed Linear Driver with Cross-folded Transmission Lines and Cross-coupled Gm Cells for Built-in 5-tap FFE in 130nm SiGe BiCMOS》先容：

面向线性直驱可插拔光链路，南边科技年夜学潘权传授团队设计了一种用在光调制器的线性驱动芯片。团队提出了一种基在交织耦合有源单位及交织折叠传输线的漫衍式拓扑布局：一方面，使用传输线的寄生电感中及来自负摆幅有源跨导单位的寄生电容，从而实现高带宽；另外一方面，于驱动芯片的输入及输出端口间引入五条差别延时的放亨衢径，从而实现5抽头的内建前馈平衡器，晋升驱动芯片的平衡能力。

这两项事情获得了国度重点研发规划及国度天然科学基金的撑持。

此外，于本次集会上，团队博士生钟立平与陈福栈荣获了国际固态电路学会（IEEE Solid-State Circuits Society, SSCS）2024-2025年度博士天生就奖（SSCS Predoctoral Achievement Award）。这是南边科技年夜学初次得到本奖项。该奖项旨于奖励集成电路设计范畴昔时度全世界最优异于读博士生。两位同窗作为团队卒业的首批博士生，均进入高校任职。

钟立平获奖证书

陈福栈获奖证书

据悉，该奖项始在1983年，最初是一年一名获奖者，每一年2月中旬于美国旧金山召开的ISSCC集会长进行颁布，是集成电路设计范畴颁布给于读博士生的全世界最高学术声誉。该奖评审委员会由国际工业界、学术界知名专家配合构成，评定历程十分严谨，重要从学术结果的技能厘革性、工业运用价值、学术影响力等方面举行综合评比。按照公然报导，自1983年至今，中国年夜陆获此殊荣的博士生不跨越10人，获奖单元别离为清华年夜学，北京年夜学，复旦年夜学，电子科技年夜学。

这一殊荣的得到，是对于南科年夜深港微电子学院于固态电路研究范畴所揭示出的国际竞争力的高度承认。将来，学院将继承致力在造就更多具备全世界视线与学术潜力的研究人材，为鞭策学科成长及技能立异孝敬气力。

论文信息以下：

[1] Y. Zhang, Y. Yao, W. Zhou, X. Luo, Z. Li, D. Zhan and Q. Pan, A 112Gb/s 0.61pJ/b PAM-4 Linear TIA Supporting Extended PD-TIA Reach in 28nm CMOS , in IEEE Int. Solid-State Circuits Conf. (ISSCC) Dig. Tech. Papers, Feb. 2025.

[2] F. Chen, C. Patrick Yue and Q. Pan, A 100Gbaud 4Vppd Distributed Linear Driver with Cross-Folded Transmission Lines and Cross-Coupled Gm Cells for Built-in 5-Tap FFE in 0.13μm SiGe BiCMOS , in IEEE Int. Solid-State Circuits Conf. (ISSCC) Dig. Tech. Papers, Feb. 2025.